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坩埚形状对氮化铝晶体生长的影响
作者: 武红磊, 郑瑞生, 孙秀明 主题: 氮化铝, 晶体生长, 坩埚盖, 加热效率, 直筒式, 晶片, 光电子学, 物料, 深圳大学, 温差 年份: 2012
摘要:
一种发光二极管模型中无序光子晶体对光输出影响的研究(英文)
作者: 李岩, 郑瑞生, 冯玉春, 刘颂豪, 牛憨笨 主题: 无序光子晶体, 光子带隙, 发光二极管, 氮化镓 年份: 2006
摘要: 利用order-n算法及超晶格技术讨论了位置无序及尺寸无序对石墨点阵柱状光子晶体光子带隙的影响·计算结果表明,对于电场偏振模,光子带隙对尺寸无序更加敏感·在此基础上,利用三维时域有限差分方法进一步讨论了无序光子晶体对石墨点阵柱状中心柱光子晶体gan发光二极管模型光输出效率的影响·计算结果表明,无序对这种光子晶体发光二极管模型光输出效率的影响较小,且这种影响也是随机的
碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究
作者: 武红磊, 郑瑞生, 孟姝, 黄俊毅 主题: 半导体材料, 掺杂, 第一性原理计算, 氮化铝, 受主能级, 电阻率 年份: 2011
摘要: 采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比.计算结果表明,在氮化铝中由碳硅共掺形成的cn-si络合物(n=1,2,3,4)可以稳定存在,特别是在c2-si络合物中碳受主电离能仅有0.19 ev,比单个碳受主低0.28 ev.利用碳硅共掺方法,在实验上制备出空穴浓度为1.4×1014cm-3、迁移率为52 cm2/(v.s)的p型氮化铝晶体.
一种发光二极管模型中无序光子晶体对光输出影响的研究(英文)
作者: 李岩, 郑瑞生, 冯玉春, 刘颂豪, 牛憨笨 主题: 无序光子晶体, 光子带隙, 发光二极管, 氮化镓 年份: 2006
摘要: 利用order-n算法及超晶格技术讨论了位置无序及尺寸无序对石墨点阵柱状光子晶体光子带隙的影响·计算结果表明,对于电场偏振模,光子带隙对尺寸无序更加敏感·在此基础上,利用三维时域有限差分方法进一步讨论了无序光子晶体对石墨点阵柱状中心柱光子晶体gan发光二极管模型光输出效率的影响·计算结果表明,无序对这种光子晶体发光二极管模型光输出效率的影响较小,且这种影响也是随机的
含有理想导体的准分形结构光子晶体的能带
作者: 李岩, 郑瑞生, 冯玉春, 牛憨笨 主题: 光子晶体, 带隙, 分形 年份: 2004
摘要: 用时域有限差分方法计算了一组具有相似几何结构且包含理想金属材料的准分形光子晶体的能带 .数值计算结果表明 ,这种准分形结构光子晶体具有绝对带隙 ,且带隙的宽度会随着分形级数的增大而增大 .同时 ,随着级数的增大 ,其能带在整体地趋向于高频端的同时 ,能带会被快速拉直而形成孤立的能级
一种类分形结构光子晶体的能带
作者: 李岩, 郑瑞生, 田进寿, 冯玉春, 牛憨笨 主题: 光子晶体, 带隙, 分形 年份: 2004
摘要: 用时域有限差分方法计算了一种类分形结构光子晶体的能带 数值计算结果表明 ,这种结构的光子晶体在介质柱、空气背景的情况下具有不完全带隙 而且 ,其能带结构随着级数的增大在整体地趋向于低频的同时 ,能带结构也趋于稳定
准分形光子晶体多频带隙的特性及其应用
作者: 李岩, 郑瑞生, 冯玉春, 牛憨笨 主题: 光子晶体, 带隙, 分形, 滤波器 年份: 2005
摘要: 用时域有限差分方法计算了多种准分形结构光子晶体的能带 数值计算结果表明,这些结构的光子晶体存在多频带隙的特点,且带隙的宽度及中心频率以及带隙中导带的中心频率均随准分形光子晶体单胞内结构单元几何形状的改变而改变.
基于MREI模型混晶光学声子频率计算理论的改进
作者: 罗飞, 郑瑞生, 卢敏, 刘维清 主题: 光电子学, MREI模型, 混晶, 光学声子, 组分 年份: 2010
摘要: 在随机元素等位移(mrei)模型的基础上,进一步改进了模型。在计算多元混晶声子频率时,对不同模式采用了不同的次近邻常数,并且推算了近邻常数与组分x呈负幂指数变化的规律,从而不使用任何调节参数计算了几种ab_(1-x)c_x混晶的声子频率对组分x的依赖关系。理论结果和实验数据两者符合较好,对今后的实验给出了一定程度的指导。
高温气相法生长AlN晶体中保温材料的研究
作者: 武红磊, 郑瑞生, 孟姝 主题: 氮化铝, 石墨, 晶体, 保温, 材料 年份: 2008
摘要: 保温材料是影响高温气相法生长aln晶体的主要因素之一。石墨由于其优良的耐高温性和低的热导率,成为目前制备aln最常用的保温材料,但是存在易引入c杂质、减少坩埚寿命等缺点。采用不添加任何添加剂aln粉体制作了高温气相法生长aln晶体的保温材料,并与石墨保温材料进行对比研究发现,aln保温材料具有耐高温、对w坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶体中引入杂质等优点,是一种优良的高温保温材料。但是,与石墨保温材料相比,aln也存在热导率相对较高、在高温过程中aln粉体会出现少量升华污染炉腔等缺点,在使用中要采取一定的对策。
氮化铝体单晶生长技术研究进展(英文)
作者: 郑瑞生, 武红磊 主题: 半导体材料, 晶体生长, 氮化铝, 单晶体, 宽禁带半导体, 物理气相沉积 年份: 2010
摘要: 评述氮化铝体单晶生长技术中常用的金属铝直接氮化法、溶解生长法、氢化物气相外延法和物理气相传输法.指出氢化物气相外延法和物理气相传输法是前景看好的生长氮化铝体单晶方法.介绍本课题组对物理气相传输法的一些改进.认为生长大尺寸氮化铝单晶体的研究将集中在精确控制生长条件、选择合适的坩埚材料、优化制备工艺和制备优质氮化铝籽晶等方面.
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